[实用新型]激光直写用掩膜有效
申请号: | 201620189499.X | 申请日: | 2016-03-11 |
公开(公告)号: | CN205542715U | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 徐博;金扬利;祖成奎;邱阳;张瑞;伏开虎;韩滨 | 申请(专利权)人: | 中国建筑材料科学研究总院 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;G03F1/50;B82B3/00 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100024*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型是关于一种激光直写用掩膜,其包括:抛光基片;有机薄膜,附着在所述抛光基片表面;氧化物薄膜,沉积在所述的有机薄膜表面;金属薄膜,沉积在所述的氧化物薄膜表面。本实用新型激光直写用掩模中的金属膜导热性能好,可及时将激光烧蚀产生的热量传导并分散,减少激光烧蚀对膜层的影响;氧化物薄膜耐激光烧蚀能力较强,可保证激光直写的线条精度;有机膜层可与溶剂反应,保证了掩模可被完全去除。 | ||
搜索关键词: | 激光 直写用掩膜 | ||
【主权项】:
一种激光直写用掩膜,其特征在于:其包括:抛光基片;有机薄膜,附着在所述抛光基片表面;氧化物薄膜,沉积在所述的有机薄膜表面;金属薄膜,沉积在所述的氧化物薄膜表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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