[实用新型]一种并联结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201620193713.9 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN205488191U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李庆;刘撰;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/36;H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种并联结构的LED芯片，包括衬底、位于衬底上的外延结构及位于外延结构上的P电极和N电极，外延结构依次包括N型半导体层、发光层及P型半导体层，其特征在于，外延结构之间形成有若干隔离槽，外延结构由隔离槽隔离形成若干隔离区，隔离槽包括刻蚀至衬底的第一隔离槽及刻蚀至N型半导体层的第二隔离槽，第二隔离槽位于第一隔离槽围设的区域内，N电极位于第二隔离槽内且与每个隔离区中的N型半导体层分别电性连接，P电极位于第一隔离槽内且与每个隔离区中的P型半导体层分别电性连接。本实用新型通过并联结构能够使LED芯片的电流均匀分布，减少了电极及引脚对出光的吸收，增加侧壁的出光，提高了LED芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 并联 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种并联结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的外延结构及位于外延结构上的P电极和N电极，所述外延结构依次包括N型半导体层、发光层及P型半导体层，其特征在于，所述外延结构之间形成有若干隔离槽，外延结构由所述隔离槽隔离形成若干隔离区，所述隔离槽包括刻蚀至衬底的第一隔离槽及刻蚀至N型半导体层的第二隔离槽，所述第二隔离槽位于第一隔离槽围设的区域内，所述N电极位于所述第二隔离槽内且与每个隔离区中的N型半导体层分别电性连接，所述P电极位于第一隔离槽内且与每个隔离区中的P型半导体层分别电性连接。
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