[实用新型]采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 201620196473.8 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN205645859U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;吴奇隆;李小平;蔡立鹤;邬新根;黄新茂 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，包括依次设置的衬底一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在N电极连接在裸露的N‑GaN层上，在电流扩展层上设置网格状金属纳米线P电极。本实用新型通过设置于电流扩展层表面的金属纳米线P电极代替原来设计的集中的单一P电极，网格状金属纳米线P电极为纳米尺寸，使电流分布更均匀的同时，还能大大降低电极引脚对出射光的阻挡作用，提高LED的发光效率和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 金属 纳米 电极 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管，包括依次设置在衬底一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层， N电极连接在裸露的N‑GaN层上，其特征在于：在电流扩展层上设置网格状金属纳米线P电极。
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