[实用新型]一种CIGS-CdS双结薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201620200575.2 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN205595351U | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 马给民;保罗·比蒂;陈浩 | 申请（专利权）人： | 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0296;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 侯蔚寰 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山湖高新技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种CIGS‑CdS双结薄膜太阳能电池，该太阳能电池的结构层从下往上依次层叠，分别是：基底层、金属电极Mo薄膜层、P型CIGS薄膜层、N型CIGS薄膜层；由N型CIGS薄膜层往上，依次叠有P型 CdS薄膜层、N型 CdS薄膜层、窗口薄膜层。本实用新型专利通过CIGS薄膜的pn结和CdS的pn结，构成了CIGS‑CdS双结薄膜太阳电池，实现了太阳光谱可见光的充分吸收利用，提高了薄膜电池器件的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cigs cds 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种CIGS‑CdS双结薄膜太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池的结构层从下往上依次层叠，分别是：置于最底层的基底层（1）；置于基底层（1）上表面的金属电极Mo薄膜层（2）；置于金属电极Mo薄膜层（2）上表面的P型CIGS薄膜层（3），置于CIGS薄膜层（3）上表面的N型CIGS薄膜层（4）；由N型CIGS薄膜层（4）往上，依次叠有P型 CdS薄膜层（5）、N型 CdS薄膜层（6）、窗口薄膜层（7）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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