[实用新型]一种异质结太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201620202671.0 申请日: 2016-03-16
公开(公告)号: CN205645828U 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 杨与胜;王树林;张超华 申请(专利权)人: 钧石(中国)能源有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362000 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种异质结太阳能电池包括:n‑型单晶硅片、设在n‑型单晶硅片受光面的第一本征非晶硅薄膜层、设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层,设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层,设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极;设在n‑型单晶硅片背光面的第二本征非晶硅薄膜层;设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层,设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层,设在第二透明导电薄膜层上的铜导电层及镍铜合金保护层。本实用新型通过采用电阻率低、成本低的铜导电层与镍铜合金保护层,替代昂贵的低温银浆栅线作为电池背面电极,大幅降低了电池电极生产成本。
搜索关键词: 一种 异质结 太阳能电池
【主权项】:
一种异质结太阳能电池,其特征在于:其结构包括:n‑型单晶硅片、设在n‑型单晶硅片受光面的第一本征非晶硅薄膜层、设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层,设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层,设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极;设在n‑型单晶硅片背光面的第二本征非晶硅薄膜层;设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层,设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层,设在第二透明导电薄膜层上的铜导电层及镍铜合金保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钧石(中国)能源有限公司,未经钧石(中国)能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620202671.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top