[实用新型]一种异质结太阳能电池有效
申请号: | 201620202671.0 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN205645828U | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 杨与胜;王树林;张超华 | 申请(专利权)人: | 钧石(中国)能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种异质结太阳能电池包括:n‑型单晶硅片、设在n‑型单晶硅片受光面的第一本征非晶硅薄膜层、设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层,设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层,设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极;设在n‑型单晶硅片背光面的第二本征非晶硅薄膜层;设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层,设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层,设在第二透明导电薄膜层上的铜导电层及镍铜合金保护层。本实用新型通过采用电阻率低、成本低的铜导电层与镍铜合金保护层,替代昂贵的低温银浆栅线作为电池背面电极,大幅降低了电池电极生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种异质结太阳能电池,其特征在于:其结构包括:n‑型单晶硅片、设在n‑型单晶硅片受光面的第一本征非晶硅薄膜层、设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层,设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层,设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极;设在n‑型单晶硅片背光面的第二本征非晶硅薄膜层;设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层,设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层,设在第二透明导电薄膜层上的铜导电层及镍铜合金保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的