[实用新型]一种CSP封装芯片结构有效
| 申请号： | 201620205188.8 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN205428988U | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;李俊贤;陈亮;陈凯轩;张永;吴奇隆;刘英策;周弘毅;魏振东 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/38;H01L33/48 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种CSP封装芯片结构，包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。本实用新型可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 csp 封装 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种CSP封装芯片结构，其特征在于：包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。
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