[实用新型]一种具有高机械强度性能的MOCVD石墨盘有效
| 申请号： | 201620207598.6 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN205488075U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杨鹏;杨翠柏;张小宾;张杨;方聪;刘向平;靳恺;王雷;高熙隆 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 梁莹 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有高机械强度性能的MOCVD石墨盘，包括有石墨盘本体，所述石墨盘本体的表面沉积有250‑350nm厚的金红石型二氧化钛层。由于金红石型二氧化钛层和石墨不发生界面反应，有很好的化学相容性，且金红石型二氧化钛层具有优异的热稳定性、高熔点，高温力学性能好，因此将金红石型二氧化钛层与石墨盘相结合，可有效增强石墨盘的机械强度性能，防止石墨粉体进入反应腔，净化反应腔生长环境，从而极大提高半导体芯片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 机械 强度 性能 mocvd 石墨 | ||
【主权项】：
一种具有高机械强度性能的MOCVD石墨盘，包括有石墨盘本体，其特征在于：所述石墨盘本体的表面沉积有250‑350nm厚的金红石型二氧化钛层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
