[实用新型]一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅

摘要

本实用新型公开了一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅，包括：P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极，所述N阱包括第一N阱、第二N阱，所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区，所述P+注入区包括第一P+注入区、第二P+注入区；通过多晶硅栅、第一P+注入区和第二P+注入区在第一N阱上构成PMOS结构，能够在降低可控硅触发电压的同时提高维持电压，从而减小它的ESD工作窗口。本实用新型提供的一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅，本设计结构简单，稳定可靠，维持电压高。

主权项

一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅，包括：P型衬底、N阱、P阱，其特征在于：还包括：P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极，所述N阱包括第一N阱、第二N阱，所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区，所述P+注入区包括第一P+注入区、第二P+注入区，所述P型衬底上沿横向依次设置有第一N阱、P阱、第二N阱，所述第一N+注入区、第一P+注入区设置在第一N阱上，所述第二P+注入区跨设在第一N阱、P阱和第二N阱上，所述第二N+注入区设置在第二N阱上；所述多晶硅栅设置在第一N阱上的第一P+注入区与第二P+注入区之间的位置；所述第一N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离，所述第一N+注入区和第一P+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离，所述第二P+注入区和第二N+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离，所述第二N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离；所述第一N+注入区、第一P+注入区和多晶硅栅均接入阳极，所述第二N+注入区、第二P+注入区均接入阴极。