[实用新型]一种新型的静电放电防护装置有效
申请号: | 201620211129.1 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN205595331U | 公开(公告)日: | 2016-09-21 |
发明(设计)人: | 董树荣;郭维 | 申请(专利权)人: | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 母秋松;董建林 |
地址: | 215300 江苏省苏州市昆*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型的静电放电防护装置,包括具有第一导电类型的P外延层和具有第二导电类型的N衬底。所述的P外延层制作在N衬底的上方。这样两层的结构设计使得该静电放电防护装置拥有两条ESD泄放路径。在低电流条件下,ESD电流通过P外延层,在高电流条件下,ESD电流主要通过N衬底。这样做的好处是通过P外延层内结构的设计来获得可调的触发电压,在高电流条件下将ESD电流导向N衬底来获得高鲁棒性和高维持电压。本实用新型提供的一种新型的静电放电防护装置,具有高鲁棒性,高维持电压,触发电压可调的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 静电 放电 防护 装置 | ||
【主权项】:
一种新型的静电放电防护装置,其特征在于:包括具有第一导电类型的P外延层(201)和具有第二导电类型的N衬底(101);所述的P外延层(201)制作在N衬底(101)的上方;所述的N衬底上从左到右依次设置有三个埋氧层(102),规划出阳极区和阴极区;在阳极区内设置第一导电类型的P埋层(104),P埋层(104)与中间的埋氧层(102)相连,与左侧的埋氧层(102)留有间距;在阴极区设置第一导电类型的P阱(103),P阱(103)与中间的埋氧层(102)和右侧的埋氧层(102)均相连;所述的P外延层(201)制作在N衬底(101)的上方,与N衬底(101)相连;在P外延层的左侧和右侧均制作有STI氧化层(202)隔离;两个氧化层(202)之间是装置的有源区,有源区的横向位置包含了所述的阳极区和阴极区的位置;在P外延层(201)上所述的阳极区和阴极区各设有一个N+注入区(203);阳极区的N+注入区(203)的右侧与中间的埋氧层(102)相连,且超过了中间的埋氧层(102)的边界;阴极区的N+注入区(203)的左侧与中间的埋氧层(102)相连,且超过了中间的埋氧层(102)的边界;两个N+注入区(203)不相连,中间设置有P外延层(201);在所述的P外延层(201)表面上还制作了氧化层(204),将P外延层(201)与上方的电气连接金属进行隔离;在氧化层的阳极区和阴极区还制作了接触孔,在接触孔内制作金属电极(205),分别与阳极区和阴极区的N+注入区(203)形成欧姆接触,并将阳极区和阴极区引出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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