[实用新型]制造半导体基片的装置有效
| 申请号： | 201620213362.3 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN205576257U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李光武 | 申请（专利权）人： | 李光武 |
| 主分类号： | C23C4/12 | 分类号： | C23C4/12;C23C4/123;C23C4/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;黄健 |
| 地址： | 100016 北京市朝阳区东*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种制造半导体基片的装置。本实用新型的装置包括密封腔体和设置在所述密封腔体内部的第一加热部、热喷涂枪和承载部，所述热喷涂枪的出口端设置在所述第一加热部的出口端下方，并且所述热喷涂枪与所述承载部能够相对移动；所述承载部具有基板和用于对所述基板进行加热的第二加热部，所述基板设置在所述热喷涂枪的下方。本实用新型的装置在制造半导体基片时材料利用率高、制造成本低；此外，制造的半导体基片尺寸大、厚度可控、纯度高，应用前景广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种制造半导体基片的装置，其特征在于，包括密封腔体和设置在所述密封腔体内部的第一加热部、热喷涂枪和承载部，所述热喷涂枪的出口端设置在所述第一加热部的出口端下方，并且所述热喷涂枪与所述承载部能够相对移动；所述承载部具有基板和用于对所述基板进行加热的第二加热部，所述基板设置在所述热喷涂枪的下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李光武，未经李光武许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620213362.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效皮膜槽
- 下一篇：一种新型萃取槽搅拌桨
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
