[实用新型]一种高功率半导体激光器有效
| 申请号： | 201620222941.4 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN205543689U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜;卢栋;王警卫;杨艳 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/024;H01S5/02 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种新型高功率半导体激光器，可以有效解决现有结构方案中激光器合格率低、工艺复杂、键合质量差以及可靠性不高等问题，促进传导冷却型高功率半导体激光器向更高功率发展。该高功率半导体激光器包括散热器和由若干个激光器芯片及其衬底构成的芯片组模块，衬底的底部通过焊料键合到散热器上，所述衬底的主体为绝缘导热块；对应于衬底上激光器芯片的键合区域，所述绝缘导热块的正面和背面均设置有导电导热层，正面的导电导热层与背面的导电导热层之间经由绝缘导热块的表面和/或内部贯通设置的导电材料形成电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种高功率半导体激光器，包括散热器和由若干个激光器芯片及其衬底构成的芯片组模块，衬底的底部通过焊料键合到散热器上，其特征在于：所述衬底的主体为绝缘导热块；对应于衬底上激光器芯片的键合区域，所述绝缘导热块的正面和背面均设置有导电导热层，正面的导电导热层与背面的导电导热层之间经由绝缘导热块的表面和/或内部贯通设置的导电材料形成电连接。
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