[实用新型]一种新型GaN基凹槽栅MISFET器件有效
| 申请号： | 201620226766.6 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN205621740U | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;李柳暗 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件制备技术，具体涉及一种新型GaN基凹槽栅MISFET器件，由下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN外延层，AlGaN势垒层，反应刻蚀形成凹槽，在位生长AlN薄层，栅极绝缘介质层，两端形成源极和漏极，凹槽沟道处的绝缘层上沉积栅极。本实用新型工艺简单，可以很好地解决传统干法或者湿法刻蚀凹槽时对栅极区域造成的损伤，可形成高质量的MIS界面以提升凹槽栅MISFET的器件性能，如降低栅极漏电流和导通电阻以及改善阈值电压稳定性等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 凹槽 misfet 器件 | ||
【主权项】：
一种新型GaN基凹槽栅MISFET器件，其特征在于，由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN外延层（3），AlGaN势垒层（4），反应刻蚀形成凹槽，在位生长AlN薄层（5），栅极绝缘介质层（6），两端形成源极（7）和漏极（8），凹槽沟道处的绝缘层（6）上沉积栅极（9）。
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