[实用新型]紫外线发光元件

摘要

提供一种紫外线发光元件。该紫外线发光元件包括：氮化镓基的n型接触层；氮化镓基的p型接触层；多量子阱结构的活性层，位于n型接触层与p型接触层之间，并具有多个势垒层和多个阱层；氮化镓基的电子阻挡层，置于p型接触层与活性层之间，并含有铝，多量子阱结构的活性层释放具有365至390nm范围内的峰值波长的紫外线，n型接触层与p型接触层包括含有铝的相同组成的氮化镓基半导体层，相同组成的氮化镓系半导体层是在n型接触层及p型接触层内具有最窄带隙的层。因此，能够减小因n型接触层及p型接触层导致的光损失，改善发光效率。

主权项

一种紫外线发光元件，其特征在于，所述紫外线发光元件包括：氮化镓基的n型接触层；氮化镓基的p型接触层；多量子阱结构的活性层，位于所述n型接触层与所述p型接触层之间，并且具有多个势垒层与多个阱层；以及氮化镓基的电子阻挡层，置于所述p型接触层与所述活性层之间，并且由AlGaN或AlInGaN形成，所述多量子阱结构的活性层释放具有365至390nm范围内峰值波长的紫外线，所述n型接触层与所述p型接触层为相同的Al_xGa_1‑xN单层，Al的组成比x为0.05至0.1范围内，所述Al_xGa_1‑xN单层是所述n型接触层及所述p型接触层的具有最窄带隙的层。