[实用新型]具有载流子存储结构的IGBT器件有效
| 申请号： | 201620229014.5 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN205488135U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;张硕 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有载流子存储结构的IGBT器件，其有源区采用沟槽结构，在有源区的第一导电类型漂移区内设有第二导电类型体区，元胞沟槽位于第二导电类型体区内，深度伸入第二导电类型体区下方的第一导电类型漂移区内；在有源区的第一导电类型漂移区内设有载流子存储结构，所述载流子存储结构包括用于将元胞沟槽伸入第一导电类型漂移区内外壁全包围的第一导电类型载流子存储区，第一导电类型载流子存储区的掺杂浓度大于第一导电类型漂移区的掺杂浓度。本实用新型能够同时满足较低的导通压降和极快的关断特性，并且能够将保证将耐压击穿位置调整至元胞区，以保证较高的抗电压浪涌能力，不增加芯片制造成本，降低芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 载流子 存储 结构 igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种具有载流子存储结构的IGBT器件，在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区以及终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于有源区的外圈并环绕包围所述有源区；在所述IGBT器件的截面上，半导体基板具有两个相对的主面，所述主面包括第一主面以及与第一主面相对应的第二主面，半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型漂移区；在所述IGBT器件的截面上，有源区采用沟槽结构，在有源区的第一导电类型漂移区内设有第二导电类型体区，第二导电类型体区位于第一导电类型漂移区内的上部，元胞沟槽位于第二导电类型体区内，深度伸入第二导电类型体区下方的第一导电类型漂移区内；其特征是：在有源区的第一导电类型漂移区内设有载流子存储结构，所述载流子存储结构包括用于将元胞沟槽伸入第一导电类型漂移区内外壁全包围的第一导电类型载流子存储区，第一导电类型载流子存储区的掺杂浓度大于第一导电类型漂移区的掺杂浓度。
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