[实用新型]一种高压晶体管结构有效
| 申请号： | 201620230415.2 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN205789961U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈伟梵;张明伦 | 申请（专利权）人： | 昆山永续智财技术服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215301 江苏省昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压晶体管结构，包括一颗Cool MOS晶体管和一颗双向高压导通保护二极管，所述Cool MOS晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。本实用新型在使用时，遇到突波或浪涌，产生了额外的过电压，在损害功率器件之前，启动了双向高压导通保护二极管保护机制，将额外电流导出，进而保护了Cool MOS晶体管，可解决硅材料作成Cool MOS晶体管在使用时因突波或浪涌产生的器件过电压或雪崩崩溃现象而使器件失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种高压晶体管结构，其特征在于，所述的高压晶体管结构包括一颗Cool MOS晶体管和一颗双向高压导通保护二极管，所述Cool MOS晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。
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