[实用新型]低电容低电压半导体过压保护器件有效
| 申请号： | 201620237509.2 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN205452296U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 赵海 | 申请（专利权）人： | 昆山海芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/10;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215325 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低电容低电压半导体过压保护器件，芯片层包括N型衬底、在N型衬底上方和下方对称扩散有P2基区和N型区以及发射极N型掺杂区，在发射极N型掺杂区与P2基区扩散有P1基区，所述P1基区和P2基区为P型变掺杂基区。将基区扩散分为两次，实现变掺杂基区，P1基区为高浓度P型掺杂扩散，P2基区为低浓度P型掺杂扩散，从而使得PN结两侧高浓度区域面积大大缩小，保证低压以及过压保护功能的同时，大大减小了该PN结的寄生结电容，实现了低电容设计目标，工艺简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 电压 半导体 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种低电容低电压半导体过压保护器件，芯片层包括N型衬底、在N型衬底上方和下方对称扩散有P2基区和N型区以及发射极N型掺杂区，其特征在于，在发射极N型掺杂区与P2基区扩散有P1基区，所述P1基区和P2基区为P型变掺杂基区。
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