[实用新型]一种热插拔电路有效
| 申请号： | 201620240412.7 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN205563548U | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 邱卫强;杨震宇;吴亮 | 申请（专利权）人： | 杭州华三通信技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/40 | 分类号： | G06F13/40 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 陈蕾 |
| 地址： | 310052 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种热插拔电路，所述热插拔电路包括：第一MOSFET、第二MOSFET和保护器件；所述第一MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第一MOSFET的D级连接电路的输出端；所述第二MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第二MOSFET的D级连接电路的输出端；所述保护器件的第一端连接所述第一MOSFET的D级，所述保护器件的第二端连接所述第二MOSFET的G级，所述保护器件的第三端连接所述第二MOSFET的S级；当所述保护器件被打开时，所述第二MOSFET处于截止状态；当所述保护器件被关闭时，所述第二MOSFET处于导通状态。通过本实用新型的技术方案，可以在热插拔电路中使用SOA较弱的第二MOSFET，减小单板功耗，降低成本和空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热插拔 电路 | ||
【主权项】：
一种热插拔电路，其特征在于，所述热插拔电路包括：第一MOSFET、第二MOSFET和保护器件；其中，所述第一MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第一MOSFET的D级连接电路的输出端；所述第二MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第二MOSFET的D级连接电路的输出端；所述保护器件的第一端连接所述第一MOSFET的D级，所述保护器件的第二端连接所述第二MOSFET的G级，所述保护器件的第三端连接所述第二MOSFET的S级；当所述保护器件被打开时，所述第二MOSFET处于截止状态；当所述保护器件被关闭时，所述第二MOSFET处于导通状态；其中，所述第一MOSFET的SOA大于所述第二MOSFET的SOA；所述第一MOSFET的导通电阻大于所述第二MOSFET的导通电阻。
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