[实用新型]一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片

摘要

一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片，属于光电子技术领域，具体涉及到AlGaInP四元系发光二极管技术领域。本实用新型的结构特点是：GaAs缓冲层与n型载流子限制层之间设有减反射层，同时在两层p型载流子限制层之间设有p型反射吸收层。使用金属有机化合物气相沉积设备将GaAs基片制备成具有低亮度黄光LED外延结构的低亮度黄光LED外延片，再将这种外延片经过芯片工艺加工成独立的LED芯片。本实用新型产品在不降低可靠性，不改变LED芯片外观尺寸的前提下，降低了四元系黄光LED法向光强，以利于扩宽AlGaInP四元系LED芯片的应用范围。

主权项

一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片，包括依次设置在砷化镓基板一侧的缓冲层、n型减反射层、n型载流子限制层、双异质结有源区层、第 一p型限制层、p型吸收层、第二p型限制层和GaP窗口层，第一电极设置在GaP窗口层上，第二电极设置在砷化镓基板的另一侧。