[实用新型]晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构有效
| 申请号： | 201620241178.X | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN205582957U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 肖博 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构，其特征是：包括硅衬底，在硅衬底表面覆盖第一钝化层和第二钝化层；在所述硅衬底上设有槽体，槽体由第一钝化层的表面延伸至硅衬底内部，第二钝化层覆盖第一钝化层以及槽体的侧壁和底部；在所述槽体内嵌设有电极。本实用新型钝化接触电极，防止金属扩散至硅衬底内形成复合中心，达到高效的目的；另一方面用激光在硅衬底表面刻槽，增强了金属电极与硅衬底之间的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 硅刻槽埋栅 电池 钝化 接触 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构，其特征是：包括硅衬底（1），在硅衬底（1）表面覆盖第一钝化层（2）和第二钝化层（4）；在所述硅衬底（1）上设有槽体（3），槽体（3）由第一钝化层（2）的表面延伸至硅衬底（1）内部，第二钝化层（4）覆盖第一钝化层（2）以及槽体（3）的侧壁和底部；在所述槽体（3）内嵌设有电极（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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