[实用新型]一种离子注入设备有效
| 申请号： | 201620241814.9 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN205428882U | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王学伟;董英宾;胡双;朱可杰;肖广纯 | 申请（专利权）人： | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 017000 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型的实施例提供一种离子注入设备，涉及显示技术领域，可在离子注入中断后，仅对未注入部分进行补注入。该离子注入设备，包括离子注入腔室，所述离子注入腔室包括离子束入口以及基板承载台，所述基板承载台用于承载待注入基板；所述离子注入设备还包括设置在所述离子注入腔室内的挡板，所述挡板用于在离子注入时阻挡对所述待注入基板的已注入部分进行注入。用于离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 设备 | ||
【主权项】：
一种离子注入设备，包括离子注入腔室，所述离子注入腔室包括离子束入口以及基板承载台，所述基板承载台用于承载待注入基板；其特征在于，所述离子注入设备还包括设置在所述离子注入腔室内的挡板，所述挡板用于在离子注入时阻挡对所述待注入基板的已注入部分进行注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
