[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201620245315.7 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN205810795U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | J·泰伊塞伊瑞;靳永钢;刘云 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一个或多个实施例涉及半导体结构，包括：上表面；第一接触焊盘，所述第一接触焊盘位于所述上表面上；重分布层，所述重分布层包括迹线和重分布的接触焊盘，所述重分布的接触焊盘与所述第一接触焊盘电连通；导电柱，所述导电柱位于所述第一接触焊盘上或所述重分布的接触焊盘上；包封层，所述包封层位于所述上表面之上并且围绕着所述导电柱；以及在所述导电柱上的导电凸块，所述导电凸块位于所述包封层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：上表面；第一接触焊盘，所述第一接触焊盘位于所述上表面上；重分布层，所述重分布层包括迹线和重分布的接触焊盘，所述重分布的接触焊盘与所述第一接触焊盘电连通；导电柱，所述导电柱位于所述第一接触焊盘上或所述重分布的接触焊盘上；包封层，所述包封层位于所述上表面之上并且围绕着所述导电柱；以及在所述导电柱上的导电凸块，所述导电凸块位于所述包封层上方。
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