[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 201620246683.3 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN205723510U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | G·迪玛尤加;J·塔利多 | 申请(专利权)人: | 意法半导体公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 菲律宾*** | 国省代码: | 菲律宾;PH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本披露涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括多层互连板,该多层互连板以堆叠关系具有下部导电层、电介质层以及上部导电层。该电介质层可以具有形成的凹陷,该凹陷具有底部以及从该底部向上延伸的倾斜侧壁。该上部导电层可以包括跨该倾斜侧壁延伸的多条上部导电迹线,并且该下部导电层可以包括多条下部导电迹线。该半导体器件可以包括在该下部导电层与该上部导电层之间延伸的多个过孔、在该凹陷中由该多层互连板承载的IC、将该多条上部导电迹线耦接至该IC的多条键合接线以及与该IC相邻并与该多层互连板的多个部分相邻的包封材料。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括:多层互连板,所述多层互连板以堆叠关系包括下部导电层、至少一个电介质层以及上部导电层;所述至少一个电介质层具有在其中形成的凹陷,所述凹陷具有底部以及从所述底部向上延伸的倾斜侧壁;所述上部导电层包括跨所述倾斜侧壁延伸的多条上部导电迹线;所述下部导电层包括多条下部导电迹线;多个过孔,所述多个过孔在所述下部导电层与所述上部导电层之间延伸;至少一个集成电路,所述至少一个集成电路在所述凹陷中由所述多层互连板承载;多条键合接线,所述多条键合接线将所述多条上部导电迹线耦接至所述至少一个集成电路;以及包封材料,所述包封材料与所述至少一个集成电路相邻并且与所述多层互连板的多个部分相邻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体公司,未经意法半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620246683.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新型电极结构的太阳能电池片
- 下一篇:楼梯梯柱(HG-642)