[实用新型]渐变栅槽的沟槽栅超结MOSFET器件有效
| 申请号： | 201620257358.7 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN205488138U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;章秀芝;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种渐变栅槽的沟槽栅超结MOSFET器件，包括至少一个元胞，所述元胞包括纵向连接的两个元胞子部；在单个元胞子部中，包括：N+型衬底，N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极，N+型衬底上生长有N‑型外延层；在元胞子部的N‑型外延层两侧自顶部向下形成有P型柱深槽结构；在元胞子部的N‑型外延层顶部中间形成有沟槽栅，沟槽栅作为MOSFET器件的栅极；在沟槽栅的侧壁和底部形成有起到隔离作用的栅氧层；纵向连接的两个元胞子部中，沟槽栅的栅槽宽度不同，且前后两个元胞子部的沟槽栅的栅槽宽度是渐变的。本实用新型可降低由栅漏电容突变引起的电磁干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 渐变 沟槽 栅超结 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种渐变栅槽的沟槽栅超结MOSFET器件，包括至少一个元胞，其特征在于：所述元胞包括纵向连接的两个元胞子部；在单个元胞子部中，包括：N+型衬底(1)，N+型衬底(1)背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极，N+型衬底(1)上生长有N‑型外延层(2)；在元胞子部的N‑型外延层(2)两侧自顶部向下形成有P型柱深槽结构(3)；在元胞子部的N‑型外延层(2)顶部中间形成有沟槽栅(5)，沟槽栅(5)作为MOSFET器件的栅极；在沟槽栅(5)的侧壁和底部形成有起到隔离作用的栅氧层(4)；在元胞子部的N‑型外延层(2)顶部沟槽栅(5)侧壁栅氧层与P型柱深槽结构(3)之间形成有P型体区(6)；P型体区(6)顶部形成有N+型源区(7)；P型体区(6)和P型柱深槽结构(3)顶部形成有用于接触的P+型接触区；源极金属(8)淀积在N‑型外延层(2)顶部，与P型柱深槽结构(3)、P型体区(6)和N+型源区(7)连接，形成MOSFET器件的源极；源极金属(8)与沟槽栅(5)之间有介质层(9)隔离；纵向连接的两个元胞子部中，沟槽栅(5)的栅槽宽度不同，且前后两个元胞子部的沟槽栅(5)的栅槽宽度是渐变的。
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