[实用新型]晶片级芯片尺寸封装体有效
| 申请号： | 201620257532.8 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN205810806U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | Y·马;K-Y·吴;张学仁 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 为了增加可靠性，公开了具有边缘保护的晶片级芯片尺寸封装体(WLCSP)。一种晶片级芯片尺寸封装体(WLCSP)包括：半导体衬底；后段制程(BEOL)层，该后段制程层在该半导体衬底上并且具有从该半导体衬底的相邻外围边缘向内凹陷的外围边缘。第一电介质层在该BEOL层之上并且包绕该BEOL层的该外围边缘。重分布层在该第一电介质层之上并且第二电介质层在该重分布层之上。本公开降低了脱层的风险，赋予了WLCSP更高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 芯片 尺寸 封装 | ||
【主权项】：
一种晶片级芯片尺寸封装体，其特征在于，包括：半导体衬底；后段制程层，所述后段制程层在所述半导体衬底上并且具有从所述半导体衬底的相邻外围边缘向内凹陷的外围边缘；第一电介质层，所述第一电介质层在所述后段制程层之上并且包绕所述后段制程层的所述外围边缘；重分布层，所述重分布层在所述第一电介质层之上；以及第二电介质层，所述第二电介质层在所述重分布层之上。
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