[实用新型]缓变深槽超结MOSFET器件有效
| 申请号： | 201620257827.5 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN205488141U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;钱振华;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种缓变深槽超结MOSFET器件，包括至少一个元胞，所述元胞包括N+型衬底，N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极；N+型衬底上生长有N‑型外延层；所述N‑型外延层为缓变N‑型外延层，电阻率自上而下逐渐缓变增大；在元胞的N‑型外延层两侧顶部形成有P型体区；在元胞的N‑型外延层两侧自P型体区向下形成有P型柱深槽结构；N‑型外延层的顶部生长有栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅形成MOSFET器件的栅极；在P型体区内形成有N+型源区和用于接触的P+型接触区。P型柱深槽结构的宽度自上而下逐渐变窄，但掺杂均匀，形成缓变的P型柱深槽结构。本实用新型的结构可降低工艺难度，更容易实现电荷平衡，提高器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 缓变深槽超结 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种缓变深槽超结MOSFET器件，包括至少一个元胞，所述元胞包括N+型衬底(1)，N+型衬底(1)背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极；其特征在于：N+型衬底(1)上生长有N‑型外延层(2)；所述N‑型外延层(2)为缓变掺杂N‑型外延层，电阻率自上而下逐渐缓变增大；在元胞的N‑型外延层(2)两侧顶部形成有P型体区(6)；在元胞的N‑型外延层(2)两侧自P型体区(6)向下形成有P型柱深槽结构(3)；N‑型外延层(2)的顶部生长有栅氧层(4)，在栅氧层(4)上形成MOSFET器件的栅极(5)；在P型体区(6)顶部形成有N+型源区(7)；P型体区(6)顶部还形成有用于接触的P+型接触区；源极金属(8)淀积在N‑型外延层(2)顶部，与P型体区(6)内的N+型源区(7)和P+型接触区连接，形成MOSFET器件的源极；源极金属(8)与栅极(5)之间有介质层(9)隔离。
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