[实用新型]一种用于双向生长单晶金刚石的衬底托有效
| 申请号： | 201620264109.0 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN205443508U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 龚闯;郑灿 | 申请（专利权）人： | 上海征世科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/04 |
| 代理公司： | 宜昌市慧宜专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 42226 | 代理人： | 彭娅 |
| 地址： | 201700 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及金刚石生产技术领域，尤其是用于等离子体化学气相沉积法双向生长单晶金刚石的衬底托。包括水冷基片台，所述水冷基片台上设有衬底托，所述衬底托由水平底部和中心凸起部位组成，所述衬底托水平底部为圆盘，所述中心凸起部位设有方形通孔，所述方形通孔个数≥1且为任意几何形状。本实用新型的衬底托为一体式组成，水平圆盘与水冷基片台直接接触，起到较好的散热作用，竖直衬底托处于等离子体中，起到固定单晶金刚石种子的作用并将种子双面接触等离子体，这样双面生长单晶金刚石，单位时间内有效速率太高了一倍，减少生长时间和生长步骤，能够满足工业化生产要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 双向 生长 金刚石 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于双向生长单晶金刚石的衬底托，包括水冷基片台（1），其特征在于：所述水冷基片台（1）上设有衬底托，所述衬底托由水平底部（2‑1）和中心凸起部位（2‑2）组成，所述衬底托水平底部（2‑1）为圆盘，所述中心凸起部位（2‑2）设有通孔（3），所述通孔（3）个数≥1且为任意几何形状。
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