[实用新型]适用于电荷耦合器件的半导体结构

摘要

本实用新型涉及一种适用于电荷耦合器件的半导体结构，其在所述半导体器件的截面上，终端保护区的第一导电类型漂移区内设有第二导电类型第二阱区，所述第二导电类型第二阱区位于第一导电类型漂移区内的上部，终端保护区内设有若干终端沟槽，所述终端沟槽位于第二导电类型第二阱区内，深度伸入第二导电类型第二阱区下方的第一导电类型漂移区内；在终端沟槽内填充有终端介质体以及终端导电体，所述终端导电体与所在终端沟槽外邻近有源区一侧的第二导电类型第二阱区电连接。本实用新型结构紧凑，能有效提高器件的耐高压特性，与现有工艺相兼容，降低成本，适应范围广，安全可靠。

主权项

一种适用于电荷耦合器件的半导体结构，在半导体器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区以及终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于有源区的外圈且环绕包围所述有源区；在所述半导体器件的截面上，半导体基板具有两个相对应的主面，两个主面包括第一主面以及与第一主面相对应的第二主面，半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型漂移区；其特征是：在所述半导体器件的截面上，终端保护区的第一导电类型漂移区内设有第二导电类型第二阱区，所述第二导电类型第二阱区位于第一导电类型漂移区内的上部，终端保护区内设有若干终端沟槽，所述终端沟槽位于第二导电类型第二阱区内，深度伸入第二导电类型第二阱区下方的第一导电类型漂移区内；在终端沟槽内填充有终端介质体以及终端导电体，所述终端导电体与所在终端沟槽外邻近有源区一侧的第二导电类型第二阱区电连接。