[实用新型]一种双通道类金刚石碳膜沉积装置有效
申请号: | 201620267625.9 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN205529027U | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 向勇;傅绍英;徐子明;杨小军;孙力 | 申请(专利权)人: | 成都西沃克真空科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/455 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 詹守琴 |
地址: | 610200 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及镀膜技术领域,尤其涉及一种双通道类金刚石碳膜沉积装置,真空室的上盖与真空室的室底相对,真空室的侧壁连接上盖和室底;阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部,阳极靶与阴极靶相对设置,阴极靶位于真空室的室底与阳极靶之间;驱动机构穿过室底与阴极靶相连;第一连接通道和第二连接通道在并联后,串联在抽真空装置和真空室之间,连通抽真空装置与真空室,第一连接通道的直径为第二连接通道的直径的3倍;第一调节阀设置在第一连接通道与真空室连通处;第二调节阀设置在第二连接通道与真空室连通处。本申请通过在抽真空装置与真空室之间设置两个连接通道,通过对两个连接通道的开闭程度的调节,能够精确的控制沉积装置内部气流的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 双通道 金刚石 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种双通道类金刚石碳膜沉积装置,其特征在于,包括真空室、阳极靶、阴极靶、驱动机构、抽真空装置、第一连接通道、第二连接通道、第一调节阀、第二调节阀和充气引入座;所述真空室的上盖与所述真空室的室底相对,所述真空室的侧壁连接所述上盖和所述室底,以形成一腔室;所述阳极靶和所述阴极靶设置在所述真空室的内部,且,所述阳极靶与所述阴极靶相对设置,所述阴极靶位于所述真空室的室底与所述阳极靶之间;所述驱动机构穿过所述室底与所述阴极靶相连;所述第一连接通道和所述第二连接通道在并联后,串联在所述抽真空装置和所述真空室之间,以连通所述抽真空装置与所述真空室,其中,所述第一连接通道的直径为所述第二连接通道的直径的3倍;所述第一调节阀设置在所述第一连接通道与所述真空室连通处;所述第二调节阀设置在所述第二连接通道与所述真空室连通处;所述充气引入座设置在所述室底。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的