[实用新型]一种双通道类金刚石碳膜沉积装置有效

专利信息
申请号: 201620267625.9 申请日: 2016-03-31
公开(公告)号: CN205529027U 公开(公告)日: 2016-08-31
发明(设计)人: 向勇;傅绍英;徐子明;杨小军;孙力 申请(专利权)人: 成都西沃克真空科技有限公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/455
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 詹守琴
地址: 610200 四川省成都市双流*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及镀膜技术领域,尤其涉及一种双通道类金刚石碳膜沉积装置,真空室的上盖与真空室的室底相对,真空室的侧壁连接上盖和室底;阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部,阳极靶与阴极靶相对设置,阴极靶位于真空室的室底与阳极靶之间;驱动机构穿过室底与阴极靶相连;第一连接通道和第二连接通道在并联后,串联在抽真空装置和真空室之间,连通抽真空装置与真空室,第一连接通道的直径为第二连接通道的直径的3倍;第一调节阀设置在第一连接通道与真空室连通处;第二调节阀设置在第二连接通道与真空室连通处。本申请通过在抽真空装置与真空室之间设置两个连接通道,通过对两个连接通道的开闭程度的调节,能够精确的控制沉积装置内部气流的均匀性。
搜索关键词: 一种 双通道 金刚石 沉积 装置
【主权项】:
一种双通道类金刚石碳膜沉积装置,其特征在于,包括真空室、阳极靶、阴极靶、驱动机构、抽真空装置、第一连接通道、第二连接通道、第一调节阀、第二调节阀和充气引入座;所述真空室的上盖与所述真空室的室底相对,所述真空室的侧壁连接所述上盖和所述室底,以形成一腔室;所述阳极靶和所述阴极靶设置在所述真空室的内部,且,所述阳极靶与所述阴极靶相对设置,所述阴极靶位于所述真空室的室底与所述阳极靶之间;所述驱动机构穿过所述室底与所述阴极靶相连;所述第一连接通道和所述第二连接通道在并联后,串联在所述抽真空装置和所述真空室之间,以连通所述抽真空装置与所述真空室,其中,所述第一连接通道的直径为所述第二连接通道的直径的3倍;所述第一调节阀设置在所述第一连接通道与所述真空室连通处;所述第二调节阀设置在所述第二连接通道与所述真空室连通处;所述充气引入座设置在所述室底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都西沃克真空科技有限公司,未经成都西沃克真空科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620267625.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top