[实用新型]图像传感器和图像传感器系统有效
| 申请号： | 201620268476.8 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN205564750U | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | J·雷纳 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(R&D)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 英国白*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及图像传感器和图像传感器系统。一种图像传感器包括：被配置成对光敏感的光电二极管像素的阵列，每个像素包括光电二极管以及被配置成存储来自光电二极管的电荷的多个电容器；被配置成控制光电二极管像素的阵列使得光电二极管像素的阵列能够被划分成两个或更多个部分的地址解码器，每个部分被单独控制以进行与每个其他部分分离的至少一个曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 系统 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括：光电二极管像素的阵列，被配置成对光敏感，每个像素包括光电二极管以及被配置成存储来自所述光电二极管的电荷的多个电容器；地址解码器，被配置成控制所述光电二极管像素的阵列使得所述光电二极管像素的阵列能够被划分成两个或更多个部分，每个部分被单独地控制以进行与每个其他部分分离的至少一个曝光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(R&D)有限公司，未经意法半导体(R&D)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620268476.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种背接触式太阳能电池的电极引出结构
- 下一篇：一种公交人数实时智能检测系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
