[实用新型]功率驱动电路有效
申请号: | 201620269332.4 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN205725660U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 张开友 | 申请(专利权)人: | 大唐恩智浦半导体有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 226400 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种功率驱动电路,包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第四NMOS晶体管,这些晶体管组成放大电路。本实用新型在起上拉和/或下拉作用的晶体管上布置电流源,通过电流源控制功率驱动电路的输出电压信号的上升沿/下降沿斜率,从而降低电路干扰。 | ||
搜索关键词: | 功率 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种功率驱动电路,包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第四NMOS晶体管,其特征在于:该第一PMOS晶体管的源极连接电源端,该第一PMOS晶体管的漏极连接该第一NMOS晶体管的漏极,该第一NMOS晶体管的源极通过第一电流源连接接地端,该第一PMOS晶体管的栅极连接第一控制信号、第一NMOS晶体管的栅极连接第二控制信号;该第二NMOS晶体管的漏极通过第二电流源连接该电源端,该第二NMOS晶体管的源极连接该第三NMOS晶体管的漏极,该第三NMOS晶体管的漏极连接该接地端,该第二NMOS晶体管的栅极连接第三控制信号、第三NMOS晶体管的栅极连接第四控制信号;该第二PMOS晶体管的源极连接该电源端,该第二PMOS晶体管的漏极连接该第四NMOS晶体管的漏极,该第四NMOS晶体管的源极连接该接地端,该第二PMOS晶体管的栅极连接该第一PMOS晶体管的漏极,该第四NMOS晶体管的栅极连接该第二NMOS晶体管的源极;其中该第一控制信号至第四控制信号是依据输入电压信号产生,该第一控制信号、该第二控制信号和该第四控制信号与该输入电压信号相位相同,该第三控制信号和该输入电压信号相位相反。
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