[实用新型]一种增强存储单元写能力的静态随机存储器有效
| 申请号： | 201620269489.7 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN205487356U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 熊保玉 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李宏德 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种增强存储单元写能力的静态随机存储器，在不影响保持和读操作时存储单元存储数据的能力的前提下，通过在写操作时将存储单元接地端浮空，打断存储单元中两个交叉耦合反相器间的正反馈，从而提高存储单元的写能力。其包括控制电路与预译码器，位线预充电与均衡器、灵敏放大器和写驱动器，字线译码器与驱动器，NMOS电流源，存储阵列；在写操作时，对于存储阵列中被选中的行内的存储单元，字线信号拉高，写字线反信号拉低，NMOS电流源关断，虚地浮空，存储单元中用于存储的两个交叉耦合的反相器间的正反馈被打断，存储单元被改写；在字线信号的下降沿，存储单元进入保持模式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 存储 单元 能力 静态 随机 存储器 | ||
【主权项】：
一种增强存储单元写能力的静态随机存储器，其特征在于，包括控制电路与预译码器(101)，位线预充电与均衡器、灵敏放大器和写驱动器(102)，字线译码器与驱动器(103)，NMOS电流源(104)，存储阵列(105)；控制电路与译码器(101)通过多条行预译码(113)和一条本地写使能反信号(114)连接字线译码器与驱动器(103)；控制电路与译码器(101)还通过多条列控制信号(112)连接位线预充电与均衡器、灵敏放大器和写驱动器(102)；控制电路与译码器(101)的输入端连接地址信号、写使能信号反、片选信号反和时钟信号(110)；位线预充电与均衡器、灵敏放大器和写驱动器(102)的输入输出端连接写数据和读数据(111)；字线译码器与驱动器(103)通过多条字线信号(115)连接存储阵列(105)，字线译码器与驱动器(103)还通过多条写字线反信号(116)连接NMOS电流源(104)；NMOS电流源(104)通过多条虚地(117)连接存储阵列(105)；存储阵列(105)通过多条位线(118)连接位线预充电与均衡器、灵敏放大器和写驱动器(102)。
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