[实用新型]一种超极结MOS应用的保护电路

摘要

本实用新型公开了一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWM IC1的公共端电性连接，所述PWM IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。本实用新型电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOS RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。

主权项

一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，其特征在于：所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联，所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWM IC1的公共端电性连接，所述PWM IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。