[实用新型]射频低噪声放大器的版图结构有效
申请号: | 201620270944.5 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN205621731U | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 刘文永;叶鹏 | 申请(专利权)人: | 江苏卓胜微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G11C7/06 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅;刘海 |
地址: | 214072 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种射频低噪声放大器的版图结构,其特征是:包括第一版图区域、第二版图区域、第三版图区域、第四版图区域、第五版图区域、第六版图区域、第七版图区域、第八版图区域和第九版图区域;所述第二版图区域和第三版图区域位于中心位置,第一版图区域位于第二版图区域和第三版图区域的下方,第八版图区域位于第二版图区域的左方,第九版图区域位于第三版图区域的右方,第六版图区域位于第八版图区域和第二版图区域的上方。所述第一版图区域、第二版图区域和第六版图区域构成信号通路,第五版图区域、第九版图区域、第二版图区域和第八版图区域构成电源通路。本实用新型兼顾LNA性能,合理分配信号通路,优化版图布局,降低芯片成本。 | ||
搜索关键词: | 射频 低噪声放大器 版图 结构 | ||
【主权项】:
一种射频低噪声放大器的版图结构,其特征是:包括第一版图区域(1)、第二版图区域(2)、第三版图区域(3)、第四版图区域(4)、第五版图区域(5)、第六版图区域(6)、第七版图区域(7)、第八版图区域(8)和第九版图区域(9);所述第二版图区域(2)和第三版图区域(3)位于版图的中心位置,所述第一版图区域(1)位于第二版图区域(2)和第三版图区域(3)的下方,所述第八版图区域(8)位于第二版图区域(2)的左方,所述第九版图区域(9)位于第三版图区域(3)的右方,所述第六版图区域(6)位于第八版图区域(8)和第二版图区域(2)的上方;所述第一版图区域(1)为用于隔离输入的直流信号的输入耦合模块;所述第二版图区域(2)为用于射频信号的放大、续流和隔离的放大模块;所述第三版图区域(3)为用于旁路输出的选择性接入模块;所述第四版图区域(4)为用于产生偏置电流和偏置电压的偏置电路模块;所述第五版图区域(5)为控制模块;所述第七版图区域(7)为片内滤波电路;所述第六版图区域(6)为用于隔离输出直流干扰的输出耦合电路;所述第八版图区域(8)为用于输入匹配的反馈电路;所述第九版图区域(9)为用于转换负载电流为负载电压的负载电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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