[实用新型]基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器有效
申请号: | 201620276887.1 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN205595352U | 公开(公告)日: | 2016-09-21 |
发明(设计)人: | 王俊;郭进;王国胜;吴浩然;王唐林;宋曼;易媛媛;谢峰 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0304 |
代理公司: | 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11487 | 代理人: | 刘葛;郭鸿雁 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器涉及一种半导体光电子器件。其目的是为了提供一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器,该紫外探测器通过阻挡势垒结构对探测器的输运模式进行选择,同时采用先进的NPSS技术,进而达到全面提高窄带通紫外探测器性能的目的。本实用新型一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器,自下而上依次包括:衬底、缓冲层、N型吸收层和肖特基电极;其中于肖特基电极的中间开有缺口,于所述肖特基电极的缺口处、N型吸收层的上方还依次包括N型势垒层和N型短波过滤层。 | ||
搜索关键词: | 基于 npss 窄带 gan msm 结构 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器,自下而上依次包括:衬底、缓冲层、N型吸收层和肖特基电极;其中于肖特基电极的中间开有缺口,于所述肖特基电极的缺口处、N型吸收层的上方还依次包括N型势垒层和N型短波过滤层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所,未经中国电子科技集团公司第三十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620276887.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型电池盒
- 下一篇:一种CIGS-CdS双结薄膜太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的