[实用新型]一种具有表面增透层的氮化镓基发光二极管芯片

摘要

本实用新型公开一种具有表面增透层的氮化镓基发光二极管芯片，在衬底上依次形成N‑GaN、有源区和P‑GaN，该N‑GaN、有源区和P‑GaN形成外延结构；通过刻蚀将N‑GaN裸露，在裸露的N‑GaN上形成N电极，在P‑GaN表面形成电流扩展层，在电流扩展层上形成P电极；在外延结构的表面及侧面设计增透层，增透层由多层高低折射率的绝缘材料层交替堆叠，层数至少为3层，折射率排布为低/高/…/低/高/低，增透层总厚度为1000Å‑10000Å。本实用新型可以降低发光二极管芯片的表面光反射，提升二极管芯片的发光效率。

主权项

一种具有表面增透层的氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：在衬底上依次形成N‑GaN、有源区和P‑GaN，该N‑GaN、有源区和P‑GaN形成外延结构；通过刻蚀将N‑GaN裸露，在裸露的N‑GaN上形成N电极，在P‑GaN表面形成电流扩展层，在电流扩展层上形成 P电极；在外延结构的表面及侧面设计增透层，增透层由多层高低折射率的绝缘材料层交替堆叠，层数至少为3层，折射率排布为低/高/…/低/高/低，增透层总厚度为1000Å‑10000Å。