[实用新型]一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备有效
申请号: | 201620278744.4 | 申请日: | 2016-04-05 |
公开(公告)号: | CN205621705U | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 黄日红;黄勇 | 申请(专利权)人: | 昆山浠吉尔自动化系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215312 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备,所述刻蚀清洗设备包括机架,所述机架上设置有刻蚀水槽和清洗水槽,所述机架上设置有硅片输送装置,所述硅片输送装置从刻蚀水槽和清洗水槽中穿过,所述机架上且位于所述硅片输送装置的上方设置有水膜保护装置,所述水膜保护装置包括用于储水的水箱、微型水泵和喷淋部件,所述喷淋部件上设置有细孔,所述微型水泵与所述水箱和喷淋部件上的细孔连通且所述微型水泵将水箱中的水注入到细孔中,所述细孔的出水口对着所述硅片输送装置。本实用新型使得水膜的设置更加均匀,因此其提高了晶体硅片加工的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 保护装置 晶体 硅片 刻蚀 清洗 设备 | ||
【主权项】:
一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备,所述刻蚀清洗设备包括机架(1),所述机架(1)上设置有刻蚀水槽(3)和清洗水槽(5),所述机架(1)上设置有硅片输送装置(2),所述硅片输送装置(2)从刻蚀水槽(3)和清洗水槽(5)中穿过,其特征在于,所述机架(1)上且位于所述硅片输送装置(2)的上方设置有水膜保护装置(8),所述水膜保护装置(8)包括用于储水的水箱(81)、微型水泵(87)和喷淋部件(89),所述喷淋部件(89)上设置有细孔(813),所述微型水泵(87)与所述水箱(81)和喷淋部件(89)上的细孔(813)连通且所述微型水泵(87)将水箱(81)中的水注入到细孔(813)中,所述细孔的出水口对着所述硅片输送装置(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山浠吉尔自动化系统有限公司,未经昆山浠吉尔自动化系统有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620278744.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED晶片周转架
- 下一篇:一种用于丝网印刷生产线的硅片分离装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造