[实用新型]一种晶体硅太阳能电池二维电极有效
申请号: | 201620278751.4 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN205657061U | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 钟宝申;李华;赵科雄 | 申请(专利权)人: | 乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710199 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开一种晶体硅太阳能电池二维电极,所述的二维电极设置在晶硅电池正面和/或背面,包括:局部接触金属电极、透明导电膜和金属电极;局部接触金属电极以规则图案方式排布在减反射膜/钝化膜上,且局部接触金属电极穿透减反射膜/钝化膜与晶体硅片形成局部欧姆接触;透明导电膜设置在减反射膜/钝化膜和局部接触金属电极上,金属电极设置在透明导电膜之上,透明导电膜将其上、下的金属电极连接成为晶体硅太阳能电池电极的导电组合体。该电极显著减少了金属电极的遮光面积与浆料的使用量,同时保证了电极良好的导电性,很好的平衡了晶硅电极光遮挡与导电性之间的两难问题,使电池的转换效率提升、生产成本降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 二维 电极 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池二维电极,其特征在于,所述的二维电极设置在晶硅电池正面和/或背面,包括:透明导电膜(1)、局部接触金属电极(2)和金属电极(5);局部接触金属电极(2)以规则图案方式排布在晶体硅太阳能电池的减反射膜/钝化膜(3)上,且局部接触金属电极(2)穿透减反射膜/钝化膜(3)与晶体硅片(4)形成局部欧姆接触;所述金属电极(5)设置于透明导电膜(1)之上;所述的透明导电膜(1)设置在减反射膜/钝化膜(3)及局部接触金属电极(2)之上,并将局部接触金属电极(2)及金属电极(5)连接成为晶体硅太阳能电池电极的导电组合体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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