[实用新型]一种磁电阻结交替排列的磁电阻传感器有效
申请号: | 201620278828.8 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN205720614U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 沈卫锋;郭海平;薛松生 | 申请(专利权)人: | 江苏多维科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 215634 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及磁性传感器领域,特别是一种磁电阻结交替排列的磁电阻传感器,通过在磁电阻结上淀积一偏置层来代替永磁层,提高了磁电阻传感器的稳定性,同时,由于免去了永磁层的使用,在同样大小的芯片上可以放置更多的磁电阻结,从而提高了芯片面积的利用率,降低成本,此外,将不同磁电阻的磁电阻结交替排列,克服了因制造工艺造成的磁电阻结物理尺寸和物理特性分布不均匀的缺陷,提高了磁电阻结的一致性,降低了零偏。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁电 结交 排列 传感器 | ||
【主权项】:
一种磁电阻结交替排列的磁电阻传感器,包括基片、位于基片上的多个磁电阻,每个磁电阻具有两个电气端,每个电气端包含两个通过导线连接的焊盘,其特征在于,每个磁电阻由多个磁电阻结构成,不同磁电阻的磁电阻结交替排列,所述磁电阻结包括自下而上依次分布的种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和具有一偏置磁场的偏置层,所述偏置磁场在自由层所在位置的磁场方向与自由层所在的平面平行,被钉扎层的磁化方向与自由层所在的平面平行,并且,所述偏置磁场在自由层所在位置的磁场方向与被钉扎层的磁化方向垂直。
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