[实用新型]一种高增益自偏置无电感的低噪声放大器

摘要

本实用新型公开了一种高增益自偏置无电感的低噪声放大器，它包括一个由共源放大级和源跟随器负载级组成的低噪声放大器电路，以及一个由直流偏置电阻和前馈电容组成的自偏置前馈网络。本实用新型利用了增益增强技术，基于传统的低噪声放大器，在维持低功耗不变的情况下实现噪声的降低，从而提高芯片的灵敏度。同时，由于本实用新型的一种高增益自偏置无电感的低噪声放大器选用了自偏置结构并且采用了无电感设计，在简化了电路的设计的同时减小了版图面积，从而降低了芯片的成本。

主权项

一种高增益自偏置无电感的低噪声放大器，其特征在于所述低噪声放大器的输入信号为V_IN,输出信号为V_out；所述低噪声放大器包括第一电容C₁、第二电容C₂、第一电阻R₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃、第一P型晶体管MP₁、第一N型晶体管MN₁，其中：第一电容C₁的正输入端与负输入端分别同输入信号V_IN与第一N型晶体管MN₁的栅极相连；第二电容C₂的正输入端与负输入端分别同输入信号V_IN与第一P型晶体管MP₁的栅极相连；第一电阻R₁的正输入端与负输入端分别同第一N型晶体管MN₁的栅极与直流偏置电压V_B相连；第二电阻R₂的正输入端与负输入端分别同第一P型晶体管MP₁的栅极与输出信号V_out相连；第三电阻R₃的正输入端与负输入端分别同第一P型晶体管MP₁的栅极与地相连；第一N型晶体管MN₁的源极与地相连，第一P型晶体管MP₁的源极与电源相连，第一N型晶体管MN₁的漏极与第一P型晶体管MP₁的漏极均同输出信号V_out相连。