[实用新型]一种具有二维电极结构的 P 型晶体硅太阳能电池有效
申请号: | 201620280481.0 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN205564766U | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 钟宝申;李华;赵科雄 | 申请(专利权)人: | 乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710199 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型一种具有二维电极结构的P型晶体硅太阳能电池,由上至下依次包括:正面金属电极、正面局部接触金属电极正面透明导电膜、正面减反射膜/钝化膜、N型层、P型硅基体和背面电极;正面局部接触金属电极以规则图案方式排布在正面减反射膜/钝化膜上,且正面局部接触金属电极穿透减反射膜及钝化膜与硅基体形成局部欧姆接触,透明导电膜将分散的正面局部接触金属电极和正面金属电极连接成为正面电极;所述背面电极为铝背场电极、局部接触电极或背面二维电极。本实用新型减少了金属电极的遮光面积与浆料的使用量,保证电极良好的导电性,平衡了受光面电极光遮挡与导电性之间的两难问题,使电池的转换效率提升、生产成本降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 二维 电极 结构 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种具有二维电极结构的P型晶体硅太阳能电池,其特征在于,由上至下依次包括:正面金属电极(12)、正面局部接触金属电极(1)、正面透明导电膜(2)、正面减反射膜/钝化膜(3)、N型层(4)、P型硅基体(5)和背面电极;正面局部接触金属电极(1)以规则图案方式排布在正面减反射膜/钝化膜(3)上,且正面局部接触金属电极(1)穿透减反射膜及钝化膜(3)与硅基体形成局部欧姆接触,透明导电膜(2)将分散的正面局部接触金属电极(1)和正面金属电极(12)连接成为正面导电组合体;所述背面电极为铝背场电极、局部接触电极或背面二维电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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