[实用新型]高密度SIP封装结构有效
| 申请号： | 201620280802.7 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN206003765U | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 喻明凡 | 申请（专利权）人： | 无锡矽瑞微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 江苏英特东华律师事务所32229 | 代理人： | 朱清韵 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡市滨湖区建*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种高密度SIP封装结构，其中包括第一基岛、第二基岛和导热焊盘，所述的第一基岛和第二基岛相互平行，所述的导热焊盘设置于所述的第一基岛和第二基岛下方，所述的第一基岛上隔离排布有三颗MOS管和MCU芯片，所述的第二基岛上隔离排布有三颗MOS管，各个所述的MOS管与封装结构的外接头通过键合丝相连接。采用该种结构的高密度SIP封装结构，隔离排布多颗功率MOS管和主控芯片，充分利用封装体的纵向空间，大大提升集成电路的封装密度，提升封装结构的散热性能，可以有效应用于各种需要MCU主控芯片封装结构的场景，具有更广泛的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 sip 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的封装结构包括第一基岛、第二基岛和导热焊盘，所述的第一基岛和第二基岛相互平行，所述的导热焊盘设置于所述的第一基岛和第二基岛下方，所述的第一基岛上隔离排布有三颗MOS管和MCU芯片，所述的第二基岛上隔离排布有三颗MOS管，各个所述的MOS管与封装结构的外接头通过键合丝相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡矽瑞微电子股份有限公司，未经无锡矽瑞微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620280802.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蚀刻设备及其卷式放料装置
- 下一篇：二次电池用外装构件
