[实用新型]一种高转换效率的晶体硅太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201620281131.6 申请日: 2016-04-06
公开(公告)号: CN205723560U 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 申请(专利权)人: 广东爱康太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/042
代理公司: 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 代理人: 张伶俐
地址: 528100 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开一种高转换效率的晶体硅太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,该电池由上至下依次包括正电极、减反膜、N+层、P型硅、Al背场和Ag背电极;N+层层叠在P型硅的上表面,减反膜层叠在N+层上表面,正电极穿过减反膜与N+层连接,正电极包括丝网印刷Ag正电极、喷墨印刷Ag正电极,丝网印刷Ag正电极固定在N+层上,喷墨印刷Ag正电极位于丝网印刷Ag正电极的上部;丝网印刷Ag正电极、喷墨印刷Ag正电极分别由主栅线和副栅线组成;Al背场层叠在P型硅的下表面,Ag背电极穿过Al背场与P型硅固定。该电池的复合副栅线高度更高,宽度更窄,可大大提高电池的电流密度,降低串联电阻,从而大大提升电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 转换 效率 晶体 太阳能电池
【主权项】:
一种高转换效率的晶体硅太阳能电池,其特征在于,该电池由上至下依次包括正电极、减反膜(18)、N+层(17)、P型硅(16)、Al背场(15)和Ag背电极(14);所述N+层(17)层叠在P型硅(16)的上表面,所述减反膜(18)层叠在N+层(17)上表面,所述正电极穿过减反膜(18)与N+层(17)连接,所述正电极包括丝网印刷Ag正电极(19)、喷墨印刷Ag正电极(20),所述丝网印刷Ag正电极(19)固定在N+层(17)上,所述喷墨印刷Ag正电极(20)位于所述丝网印刷Ag正电极(19)的上部;所述丝网印刷Ag正电极(19)由丝网印刷主栅线和丝网印刷副栅线组成;所述喷墨印刷Ag正电极(20)由喷墨印刷主栅线和喷墨印刷副栅线组成;所述Al背场(15)层叠在P型硅(16)的下表面,所述Ag背电极(14)穿过所述Al背场(15)与P型硅(16)固定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东爱康太阳能科技有限公司,未经广东爱康太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620281131.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top