[实用新型]一种高转换效率的晶体硅太阳能电池有效
申请号: | 201620281131.6 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN205723560U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开一种高转换效率的晶体硅太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,该电池由上至下依次包括正电极、减反膜、N+层、P型硅、Al背场和Ag背电极;N+层层叠在P型硅的上表面,减反膜层叠在N+层上表面,正电极穿过减反膜与N+层连接,正电极包括丝网印刷Ag正电极、喷墨印刷Ag正电极,丝网印刷Ag正电极固定在N+层上,喷墨印刷Ag正电极位于丝网印刷Ag正电极的上部;丝网印刷Ag正电极、喷墨印刷Ag正电极分别由主栅线和副栅线组成;Al背场层叠在P型硅的下表面,Ag背电极穿过Al背场与P型硅固定。该电池的复合副栅线高度更高,宽度更窄,可大大提高电池的电流密度,降低串联电阻,从而大大提升电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 转换 效率 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种高转换效率的晶体硅太阳能电池,其特征在于,该电池由上至下依次包括正电极、减反膜(18)、N+层(17)、P型硅(16)、Al背场(15)和Ag背电极(14);所述N+层(17)层叠在P型硅(16)的上表面,所述减反膜(18)层叠在N+层(17)上表面,所述正电极穿过减反膜(18)与N+层(17)连接,所述正电极包括丝网印刷Ag正电极(19)、喷墨印刷Ag正电极(20),所述丝网印刷Ag正电极(19)固定在N+层(17)上,所述喷墨印刷Ag正电极(20)位于所述丝网印刷Ag正电极(19)的上部;所述丝网印刷Ag正电极(19)由丝网印刷主栅线和丝网印刷副栅线组成;所述喷墨印刷Ag正电极(20)由喷墨印刷主栅线和喷墨印刷副栅线组成;所述Al背场(15)层叠在P型硅(16)的下表面,所述Ag背电极(14)穿过所述Al背场(15)与P型硅(16)固定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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