[实用新型]脑深部刺激电极及刺激系统有效

专利信息
申请号: 201620285702.3 申请日: 2016-04-07
公开(公告)号: CN205672351U 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 豆美娟;朱为然 申请(专利权)人: 苏州景昱医疗器械有限公司
主分类号: A61N1/05 分类号: A61N1/05
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型揭示了一种脑深部刺激电极及刺激系统,所述电极包括具有近端及远端的电极本体,所述电极本体具有相互垂直的长度方向及宽度方向,所述电极还包括位于远端的若干电极触点,于所述长度方向上,相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。本实用新型的相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米,如此的间距设计,可以有效考虑到因磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等误差情况存在而引起的脑深部刺激电极插入核团的位置的偏差,从而可以大大提高位于核团内的电极触点有效刺激面积,如此,提高了对患者的刺激效果,减少了插偏时刺激所带来的副作用,且延长了脑深部电刺激系统中的电池使用寿命。
搜索关键词: 脑深部 刺激 电极 系统
【主权项】:
一种脑深部刺激电极,所述电极包括具有近端及远端的电极本体,所述电极本体具有相互垂直的长度方向及宽度方向,其特征在于所述电极还包括位于远端的若干电极触点,于所述长度方向上,相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。
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