[实用新型]一种刻蚀加压喷淋清洗器有效
申请号: | 201620287925.3 | 申请日: | 2016-04-08 |
公开(公告)号: | CN205657044U | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 杨洪军;鞠靖;张振兴;万福旺 | 申请(专利权)人: | 山东天信光伏新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 东营双桥专利代理有限责任公司 37107 | 代理人: | 罗文远 |
地址: | 257000 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种刻蚀加压喷淋清洗器。其技术方案是:在硅片的上部设有上清洗装置,在硅片的下部设有下清洗装置,在第一水刀管路的右侧设有第一水汽混合加压装置,在第一水刀管路的下侧设有第一水刀,在第一水刀上设有多个第一喷雾头,在第二水刀管路的右侧设有第二水汽混合加压装置,在第二水刀管路的上侧设有第二水刀,在第二水刀上设有多个第二喷雾头,雾化座的出液端设有雾化盖,在雾化盖的中心设有出液孔,以出液孔为圆心的外周设有环槽。本实用新型的有益效果是:本实用新型在硅片的上部和下部均设有清洗装置,清洗装置上加设有水汽混合加压装置,喷雾头喷出的喷雾为扇形,这样,节省了去离子水,降低了费用,并且清洗效果好。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 加压 喷淋 清洗 | ||
【主权项】:
一种刻蚀加压喷淋清洗器,其特征是:包括上清洗装置和下清洗装置,在硅片(6)的上部设有上清洗装置,在硅片(6)的下部设有下清洗装置,上清洗装置包括第一水刀管路(1)、第一水刀(2)、第一喷雾头(3)、第一水汽混合加压装置(4)、第一水刀支架(5),在第一水刀管路(1)的右侧设有第一水汽混合加压装置(4),在第一水刀管路(1)的右端头设有第一水刀支架(5),在第一水刀管路(1)的下侧设有第一水刀(2),在第一水刀(2)上设有多个第一喷雾头(3),下清洗装置包括第二水刀管路(7)、第二水刀(8)、第二喷雾头(9)、第二水汽混合加压装置(10)、第二水刀支架(11),在第二水刀管路(7)的右侧设有第二水汽混合加压装置(10),在第二水刀管路(7)的右端头设有第二水刀支架(11),在第二水刀管路(7)的上侧设有第二水刀(8),在第二水刀(8)上设有多个第二喷雾头(9),所述的第一喷雾头(3)包括雾化座(3.1)、雾化盖(3.2)、环槽(3.3)、出液孔(3.4),雾化座(3.1)的出液端设有雾化盖(3.2),在雾化盖(3.2)的中心设有出液孔(3.4),以出液孔(3.4)为圆心的外周设有环槽(3.3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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