[实用新型]一种具有电流扩展层的外延结构有效
| 申请号： | 201620288048.1 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN205488188U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黄文宾;黄静;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种具有电流扩展层的外延结构，至少包括：N型层、发光层、低温P型GaN层、电流扩展层和P型接触层，其特征在于：所述电流扩展层包括复数个子组合层，所述每一子组合层均包括未掺杂层、n型掺杂层和p型掺杂层，本实用新型提供的外延结构在工作时获得更均匀的电流分布，防止局部电流密度过大，从而提高了器件的抗静电能力，防止材料的局部过早劣化，提高使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 扩展 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种具有电流扩展层的外延结构，至少包括：N型层、发光层、低温P型GaN层、电流扩展层和P型接触层，其特征在于：所述电流扩展层包括复数个子组合层，所述每一子组合层均包括未掺杂层、n型掺杂层和p型掺杂层。
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