[实用新型]表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED有效
| 申请号： | 201620289504.4 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN205723599U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 徐洲;杨凯;赵宇;林鸿亮;徐培强;何胜;李波;张永;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED，属于半导体技术领域。在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、ITO扩展电流扩展层和主电极；所述ODR反射镜由相互连接的金属反射层和介质膜层构成，介质膜层与外延层相连接；金属反射层和金属键合层相连接；ITO电流扩展层与外延层之间设置有欧姆接触点；ITO电流扩展层表面呈粗化状。本实用新型可改善LED芯片的电流扩展均匀性，又消除了n型AlGaInP电流扩展层吸光的问题，提高出光效率，可以延长反极性AlGaInP基LED的寿命、提高其光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 覆盖 ito 极性 algainp led | ||
【主权项】：
表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于：在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、ITO扩展电流扩展层和主电极；所述ODR反射镜由相互连接的金属反射层和介质膜层构成，介质膜层与外延层相连接；金属反射层和金属键合层相连接；ITO电流扩展层与外延层之间设置有欧姆接触点；ITO电流扩展层表面呈粗化状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620289504.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造半导体装置的方法
- 下一篇：卷绕装置
