[实用新型]氮化镓基倒装LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种氮化镓基倒装LED芯片，其是镜面对称的结构，从其蓝宝石衬底的上表面向上，依次分布着的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层构成外延结构。N型氮化镓层的上表面暴露在多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分分别形成外延结构的两个肩部；三个长条形的金属电极彼此平行地延伸，其中中间一个是P电极，其沿P型氮化镓层的上表面的中轴线延伸；两侧分别是第一、第二N电极，它们分别分布在第一、第二部分上延伸。本实用新型的氮化镓基倒装LED芯片采用镜面对称的结构，能够通过两个N电极的位置来保证芯片的电流分布均匀，具有光效高、制作流程简便，可靠性高的优点。

主权项

一种氮化镓基倒装LED芯片，包括横截面呈长方形的蓝宝石衬底以及从所述蓝宝石衬底的上表面向上依次分布的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层；所述N型氮化镓层、所述多量子阱结构层和所述P型氮化镓层的横截面皆呈长方形，它们构成外延结构；其特征在于，所述氮化镓基倒装LED芯片是镜面对称的结构，所述外延结构的纵截面成凸字形；所述N型氮化镓层的上表面具有暴露在所述多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别形成所述外延结构的两个肩部；所述氮化镓基倒装LED芯片还包括分布在所述P型氮化镓层的上表面的P电极、分布在所述第一部分上的第一N电极和分布在所述第二部分上的第二N电极；所述P电极与所述P型氮化镓层电连接，所述第一、第二N电极与所述N型氮化镓层电连接；所述P电极呈长条状，沿所述P型氮化镓层的上表面的中轴线延伸，从所述P型氮化镓层的上表面的一个侧边处延伸到另一个侧边处，所述P型氮化镓层的上表面的所述侧边和所述另一个侧边彼此相对；所述第一、第二N电极皆呈长条状，皆与所述P电极平行地从所述N型氮化镓层的上表面的一个侧边处延伸到另一个侧边处，所述N型氮化镓层的上表面的所述侧边和所述另一个侧边彼此相对。