[实用新型]一种小型LED芯片有效
| 申请号： | 201620297751.9 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN205488189U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李庆;张广庚;吴红斌;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种小型LED芯片，LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、及P型半导体层，LED芯片上形成有贯穿P型半导体层、发光层及部分N型半导体层的通孔，P型半导体层上形成有未覆盖通孔区域的透明导电层，LED芯片上在通孔侧壁、以及通孔旁侧部分透明导电层上形成有电流阻挡层，电流阻挡层上及通孔内形成有与N型半导体层电性连接的N电极，透明导电层上形成有与P型半导体层电性连接的P电极，衬底为图案化衬底，N电极为反射电极。本实用新型通过电流阻挡层和电极的设置，减小了N电极与N型半导体层的接触面积，能够使N电极下方的部分发光层进行发光，通过反射电极和PSS衬底进行出光，有效提高了小型LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 小型 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种小型LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的N型半导体层、发光层、及P型半导体层，其特征在于，所述LED芯片上形成有贯穿P型半导体层、发光层及部分N型半导体层的通孔，所述P型半导体层上形成有未覆盖通孔区域的透明导电层，所述LED芯片上在通孔侧壁、以及通孔旁侧部分透明导电层上形成有电流阻挡层，所述电流阻挡层上及通孔内形成有与N型半导体层电性连接的N电极，透明导电层上形成有与P型半导体层电性连接的P电极，所述衬底为图案化衬底，所述N电极为反射电极。
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