[实用新型]一种基于微流控芯片的磁分离装置有效

专利信息
申请号: 201620299563.X 申请日: 2016-04-12
公开(公告)号: CN205538421U 公开(公告)日: 2016-08-31
发明(设计)人: 韩小涛;曹全梁;冯洋;王桢;张绍哲;李亮 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01N1/40 分类号: G01N1/40;B01L3/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 朱仁玲
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型公开了一种基于微流控芯片的磁分离装置,包括微流控芯片、第一亥姆霍兹线圈以及第二亥姆霍兹线圈;所述微流控芯片具有平行设置的微流控通道以及微磁体,所述微磁体用于施加方向垂直于微流控通道的梯度磁场;所述第一亥姆霍兹线圈用于施加静态均匀磁场;所述第二线圈用于施加周期磁场;其中,所述静态均匀磁场与所述梯度磁场共同作用,获得增强的梯度磁场,使所述样品液中的不同粒子分离;所述静态均匀磁场与所述周期磁场共同作用,获得大小和方向周期性变化的磁场,避免所述样品液中的粒子团聚。本实用新型中涉及的磁分离装置结构简单、易于控制、对样品液中的粒子解聚效果良好、经济性高,可大大推动微流控芯片系统中磁分离装置的研究。
搜索关键词: 一种 基于 微流控 芯片 分离 装置
【主权项】:
一种基于微流控芯片的磁分离装置,其特征在于,包括微流控芯片、第一亥姆霍兹线圈以及第二亥姆霍兹线圈;所述微流控芯片具有平行设置的微流控通道以及微磁体;所述第一亥姆霍兹线圈的中心轴与所述微流控芯片共平面,且所述微流控通道位于所述第一亥姆霍兹线圈的中心区域;所述第二亥姆霍兹线圈的中心轴与所述第一亥姆霍兹线圈的中心轴互相垂直平分。
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