[实用新型]制备HEMT外延片的设备有效
| 申请号： | 201620301984.1 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN205680660U | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李东昇;丁海生;陈善麟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提出了一种制备HEMT外延片的设备，提供具有若干个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将缓冲层固定于另一个腔体内生长，将沟道层和势垒层固定于其他反应腔室内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量的影响，从而提高HEMT外延层的晶体质量，进一步减小HEMT器件所存在的电流崩塌效应和漏电流效应。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 hemt 外延 设备 | ||
【主权项】：
一种制备HEMT外延片的设备，用于制备HEMT外延片，其特征在于，包括m个反应腔室，其中m为自然数，且m≥3，其中，包括第一反应腔室、第二反应腔室和第三反应腔室，所述第一反应腔室用于形成成核层，所述第二反应腔室用于形成缓冲层，所述第三反应腔室用于形成剩余薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
